IGBT用途

发布网友 发布时间：2022-04-21 14:14

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热心网友 时间：2022-04-03 06:57

用于中高容量功率场合，如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。

电联车或电动车辆之马达驱动器、变频冷气、变频冰箱，甚至是大瓦特输出音响放大器的音源驱动元件。

IGBT特点在于可以大功率场合可以快速做切换动作，因此通常应用方面都配合脉冲宽度调变（Pulse Width Molation,PWM）与低通滤波器（Low-pass Filters）。

由于半导体元件技术的精进，半导体原料品质的提升，IGBT单价价格越来越便宜，其应用范围更贴近家用产品范围，不再只是高功率级的电力系统应用范畴。

如电动车辆与混合动力车的马达驱动器便是使用IGBT元件，丰田汽车第二代混合动力车Prius II便使用50kw IGBT模组变频器控制两组交流马达/发电机 以便与直流电池组作电力能量之间的转换。

扩展资料：

IGBT的阻断与闩锁：

当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。

另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的压降高的原因。

当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。

IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。

这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。

晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：

当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地*了安全操作区 。

 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。

 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。

因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

参考资料来源：百度百科-IGBT

热心网友 时间：2022-04-03 08:15

他就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
他没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。
IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

热心网友 时间：2022-04-03 09:50

答：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
例如：我们生产电焊机就要用 还用现在的电动汽车 高铁的机车牵引 功率变频器就是控制电机转速的 还有UPS电源等都要用的。

热心网友 时间：2022-04-03 11:58

楼上说的基本对。但是对于内部结构，不仅仅是加电压产生导电沟道这么简单，但是这么说也对，就不是很全面。应该把IGBT由mos和晶体管的等效组合说原理比较合理些。

热心网友 时间：2022-04-03 14:23

功率模块，电力电子模块
使用在
1.民生用：洗衣机、电冰箱、空调
2.产业用：新能源、医疗、焊接机、马达控制、变频器、电气铁道、制铁、电力设备